Gravure sèche (plasma ionique) :
- RIE, DRIE
- FIB (Focus Ion Beam)
- Matériaux : Silicium (max 6 pouces), Verre, Si3N4, LiNbO3,… (max 4 pouces)
Gravure humide :
- KOH, BHF
- vapeurs HF
Gravure sèche (plasma ionique) :
Gravure humide :
En plus de la gravure sur Silicium, nous avons mis au point différents procédés de gravure profonde de matériaux diélectriques en salle blanche :
Matériaux gravés | Profondeur |
Verticalité des flancs |
Rugosité en fond de gravure |
Verre | Jusqu’à 200 µm | 70° à 100 µm | Ra < 500nm |
Quartz | Jusqu’à 200 µm | 85° à 100 µm | Ra < 10nm |
Niobate de lithium | Jusqu’à 10 µm | 75° à 10 µm | Ra < 10nm |
Avantages :
– Gravure collective de motifs de résolution micrométrique avec des profondeurs pouvant atteindre la centaine de microns
– Nouvelles fonctionnalités pour vos dispositifs
– Amélioration des performances de vos dispositifs
Différentes applications sont visées:
– Structuration de canaux micro-fluidiques dans des matériaux biocompatibles (Verre…)
– Fabrication de guides d’onde optique dans des matériaux électro-optique (Niobate de Lithium…)
– Gravure de matériaux piézoélectriques pour dispositifs radiofréquences (Quartz…)
Le développement de ces procédés a bénéficié du soutien financier de la Région Bourgogne Franche-Comté.
contact : florent.bassignot@femto-engineering.fr
Lithographie UV & électronique Fabrication de masque de photolithographie
Dépôts de couches minces et épaisses
Microscope (MEB, optique, FIB), profilomètre mécanique Mesures spécifiques : Contraintes, indice optique, angle de contact
Femto Engineering | From science to society
15B avenue des Montboucons, 25030 Besançon Cedex
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