Salle blanche

You are here

Une centrale de micro & nano fabrication de rang national

Avec ses 1400 m² de salle blanche, la centrale MIMENTO (MIcrofabrication pour la MEcanique, les Nanosciences, la Thermique et l'Optique) est dotée d’un parc d’équipement de haute technologie qu’elle ouvre à la fois à des partenaires académiques et industriels.

Elle permet d’effectuer des travaux de R&D en micro-mécanique, micro-nano-optique et micro-nano-acoustique afin de concevoir et de réaliser des dispositifs MEMS, MOEMS et NEMS.

La centrale technologique dispose d’une ligne pilote de microfabrication industrielle (composants SAW/BAW et RF-MEMS). La ligne est ouverte à des demandes pour du prototypage, de la pré-production et du développement pour de nombreux matériaux (silicium, quartz, niobate de lithium...).

Le réseau RTB : La centrale MIMENTO fait partie depuis 2004 du réseau national des grandes centrales technologiques pour la Recherche Technologique de Base, réseau Renatech soutenu par le programme RTB.

De la recherche fondamentale à l'activité industrielle

La centrale de micro et nano-technologies de FEMTO-ST, MIMENTO, est composée de trois modules :

  • recherche fondamentale en nanotechnologie,
  • microfabrication de salle blanche disposant de plusieurs filières complètes de réalisation de micro-dispositifs, en particulier sur des matériaux autres que silicium
  • R&D et Innovation industrielle : ligne pilote de fabrication de micro et nano-composants piézoélectriques réalisés collectivement en atelier pilote.

Les équipements

 

 Photolithographie

Générateur de masques optiques

Caractéristiques techniques

Réalisations

masqueur lithographieMasqueur Lithographie Optique Heidelberg DWL 200
  • Laser d’écriture : Hélium-Cadmium
  • Longueur d’onde : 442nm
  • Puissance : 180mW
  • Durée de vie : 2000 heures
  • Têtes d’écriture : 4mm / 10mm
  • Résolution / tête : 0.9µm / 1.8µm
  • Temps d’écriture 4 pouces / tête : 240mn / 45mn
  • Temps d’écriture 5 pouces / tête : 360mn / 75mn
  • Format de fichiers : GDSII, DXF, CIF, GERBER
Masques et Supports :
  • Masques CIPEC 4, 5 pouces en sodalime, résine AZ 1518, Chrome 100 nm avec une couche anti reflet
  • Wafer de 3 à 6 pouces recouverts de résine S1805 en écriture directe

Masque pour réalisation de peignes interdigitésMasque pour réalisation de peignes interdigités

   

Machines d'enduction

Caractéristiques techniques

Réalisations

tournette RC-8 KARLSUSSTournette RC-8 KARLSUSS
  • Taille max. du substrat : 4 pouces
  • Programmation : jusqu'à 9 programmes
  • Vitesse : de 10 à 5000 tr/min
  • Accélération : de 100 à 5000 tr/min/sec
  • Temps d'enduction : de 1 à 999 secondes
 
Spray coatingSpray coating
  • Taille des substrats : jusqu’à 4 pouces, de forme quelconque
  • Recouvrement conforme : pentes positives et négatives
  • 2 buses de spray : 1 pour résine positive & 1 pour résine négative
  • Épaisseur de résine : minimum 4 µm (moins de 3 µm possible, mais recouvrement des pentes non étudié)
  • Stratégie du balayage : 4 passages (soit ≈ 1 µm par passage)
  • Tenue des échantillons : vide ou ruban adhésif
  • Durée du procédé : 5 minutes
Résines utilisées actuellement :
  • S 1813 : Épaisseur de 3 à 8 µm
  • SU-8 : Épaisseur de 8 à 20 µm

Résines à l’étude : résines AZ (4999, 9260…)

 

Spray coating

Aligneurs

Caractéristiques techniques

Réalisations

Aligneur Double Face EVG 620Aligneur Double Face EVG 620
  • Taille des masques : 3, 4 ou 5 pouces.
  • Substrats : 2, 3 ou 4 pouces.
  • Puissance typique de la lampe : 13 mW/cm2
  • Mode d'exposition : temps ou énergie constante
  • Type de plaquages : proximité, soft contact, hard contact ou vacuum contact (chambre à vide)
  • Précision de l'alignement : 0,5 µm (alignement par le dessus) 1 µm (alignement par le dessous)

Résolution théorique :

  • soft contact : < 2 µm
  • hard contact : 0,8 à 1,5 µm
  • vacuum contact : 0,6 µm
 
Aligneur Simple Face SETAligneur Simple Face SET
  • Taille des masques : 3, 4 et 5 pouces.
  • Ouverture utile : carrés de 60 et 76 mm de côté.
  • Porte substrat : jusqu'à 4 pouces.
  • Microscope d'alignement : monoculaire, grossissement de 8 à 40
  • Puissance typique de l'insolateur : de 10 à 20 mW/cm2
  • Plaquages : " soft contact " ou " vacuum contact " avec chambre à vide

Résolution : les plus petits motifs insolés et développés font 1,5 µm en " vacuum contact

 

Laminoir

Laminoir 360/N de Rohm and Haas Electronic

  
Résines photosensiblesLes résines photosensibles
  • les résines négatives : par exemple, la résine SU-8.
  • les résines positives : résines AZ 9260, S1818 et SJR 5740.
  • les résines inversibles : AZ 5214, TI09XR
  • Résine particulière pour gravure plasma
  • Résine particulière pour LIFT-OFF

Méthode LIFT-OFF
Méthode LIFT OFF

Retour au sommaire

 

Dépôt de couche mince

Pulvérisation Cathodique

Caractéristiques techniques

Pulvérisation DC : PLASSYS

Pulvérisation DC : PLASSYS

  • Gaz : argon.
  • Cathodes : 3 sources DC magnétron 4 pouces dont un magnétron renforcé particulièrement adapté au Nickel et une source DC magnétron 6 pouces
  • Cibles disponibles : Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Au, Nb, W, Pd, Pt, Mo.
  • Alimentation DC : 20 mA à 1 A (1 kW max., régulation en puissance intensité ou tension)
  • Polarisations substrat : décapage ionique de 20 à 250 W (RF Generator HFS 500E).
  • Porte substrat : 4 échantillons jusqu'à 4 pouces rotatif et positionnable
  • Pas de chauffage substrat.
  • Pas de sas de chargement.
  • Ligne de pompage : pompe primaire 2063 alcatel et pompe secondaire Cryo Torr 8 CTI Cryogenics.

 

Pulvérisation Réactive d'ALN : PLASSYS

Pulvérisation Réactive d'ALN : PLASSYS

  • gaz : Ar, N2
  • cathode : magnétron 4 pouces
  • alimentation : 1,5 kW en DC
  • cible : Al
  • polarisation substrat : RF 300 W max.
  • porte substrat : 1 échantillon jusqu'à 4 pouces
  • chauffage substrat : jusqu'à 800 °C
  • sas de chargement : oui
  • pompage secondaire : pompe cryogénique

Pulvérisation Cathodique PLASSYS

Pulvérisation Cathodique PLASSYS

  • Cibles disponibles : Ni, Cr, Au, Al, Ti, W, Cu
  • Cathodes : 3 cathodes magnétron 4 pouces
  • Porte substrat chauffant
  • Source d'évaporation effet joule

Pulvérisation AC450 DC/RF (Alliance Concept)

Pulvérisation AC450 DC/RF (Alliance Concept

  • Gaz : argon, acétylène, azote, oxygène ou tout autre gaz ou mélange de gaz
  • 2 Cathodes magnétron DC de 2 pouces dont un magnétron renforcé particulièrement adapté aux matériaux magnétiques
  • 1 Cathode magnétron RF de 2 pouces
  • 2 Cathodes magnétron DC de 2 pouces en position confocale pour réaliser la pulvérisation simultanée de deux matériaux cibles
  • Cibles disponibles : Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Ag, Nb, W, V, Fe, Mo, B, Zr, Ta, Si, C, Co, NiTi, TiAl, SiO2, Ni2MnGa ou tout autre matériaux cible ou alliage.
  • 2 Alimentations DC : 1,5 kW max., régulation en puissance intensité ou tension
  • 2 alimentations RF (13,56 MHz) 300W
  • Polarisations substrat : Mode DC ou RF
  • Porte substrat : 3 pouces rotatif, positionnable, polarisable et chauffant jusqu'à 850ºC
  • Equipé d'un canon à ion (micro ondes 2,45GHz) : bombardement ionique avec des ions argon d'énergie jusqu'à 2000éV
  • Groupe de pompage : primaire VARIAN 1002 Turbo VARIAN VT 1001

 

PECVD

Caractéristiques techniques

SI 500 D ICP Deposition System

SI 500 D ICP Deposition System

 

 Retour au sommaire

 

Gravure

Gravure chimique

Caractéristiques techniques

Réalisations

Paillasse d'usinage humidePaillasse d'usinage humide (KOH BHF) (IPV)

  • Solution utilisée : Hydroxyde de potassium KOH, H2O
  • Concentration : 41 % en masse (10 moles / litre )
  • Température : 55°C
  • Agitation : 300t/mn

Pour le quartz et le SiO2 la solution utilisée est l'acide fluoridrique tamponé (BHF, Buffered Hydrofluoric Acid).

Micro-accéléromètre
Micro-accéléromètre

Système de gravure HF Vapeur

Système de gravure HF Vapeur

Sous-gravure maximale : 150 µm
Progression de la sous-gravure : variable (typiquement 1 µm par minute pour une couche de silice de 2 µm d’épaisseur)
Masques possibles : Al, Au, Pt, résines photosensibles

 

Paillasse de Si poreuxPaillasse de Si poreux

  • 1 bac HF : anodisation du substrat silicium (électrolyse à l'acide fluorhydrique)
  • 2 bacs de rinçage ( eau carbonate de calcium)
  • 2 bacs d'eau DI à débordement et à bullage azote pour le rinçage
  • 1 bac d'acide acétique dilué pour retirer les particules de carbonate restant sur le substrat et le porte substrat
  • 1 bac d'isopropanol
 
ElectroformageMicrofabrication électrolytique : Paillasse d'électroformage (Ni-Cu-Au)
  • Substrat : métalliques ou métallisés jusqu'à 5 pouces carrés
  • Type de dépôt : nickel, cuivre et or par immersion
  • Température de l'électrolyte : 50 °C
  • Vitesse de dépôt : quelques µm/h à plusieurs dizaines de µm/h
  • Épaisseurs : limitées par la hauteur du moule de résine(typiquement plusieurs dizaine de microns)

Caractéristiques mesurées du nickel électroformé:

  • Module d'Young : 200 GPa
  • Dureté : 300 à 600 Hv
  • Limite d'élasticité : 300 MPa
  • Rugosité(Rt) : 0,8 à 1,2 µm
  • Contraintes intrinsèques :
    • de -30 à 20 MPa sur Cu
    • de 140 à 220 MPa sur Si

micro-moteur
Micro-moteur

 

  

Retour au sommaire

 

Gravure plasma

Gravure plasma

Caractéristiques techniques

Réalisations

Bâti de gravure profonde DRIE, ALCATEL
Bâti de gravure profonde DRIE, ALCATEL

Paramètres ajustables :

  • Pression (1 à 10 Pa)
  • Débits de gaz (50 à 500 sccm)
  • Température du porte substrat
  • Puissance RF de la source (1000 à 2000 W)
  • Puissance du porte substrat (jusqu'à 200 W)
  • Temps de cycle SF6/C4F8

Masques utilisés :

  • Résine
  • Silice
  • Métal (Nickel, Chrome, Aluminium)

Porte Substrat prévu pour des wafers 4 pouces

Microactionneur électrostatique
Micro-actionneur électrostatique

RAPIER SPTS

Bâti de gravure DRIE-ICP Silicium : RAPIER SPTS

- Source Plasma ICP : 3kW RF
- Source bias : 1,5 kW RF
- Clampage électrostatique avec porte-substrat réfrigéré de 0 à 40°C
- Gaz disponibles : SF6, C4F8, Ar, He, N2 et O2
- Taille de wafer : de puces à 4 pouces
- Suivi de gravure en temps réel avec un système de détection de fin d’attaque Clarita
 

Graveur RIE fluorée PLASSYS
Graveur RIE fluorée PLASSYS

  • Puissance RF : 300 W max.
  • Gaz : SF6, O2, CHF3, C2F6
  • Substrat : 4 pouces max sur plateau en silice.
  • Détecteur de fin d'attaque : interférométrie laser 633 nanomètre
  • Matériaux gravés : Si, SiO2, Si3N4, Quartz, Ti, LiNbO3
 
Bâti de gravure ICP-DRIE STS MPO 562

Bâti de gravure ICP-DRIE STS MPO 562

  • Source Plasma ICP : 3kW RF
  • Source bias : 1.5 kW RF
  • Clampage mécanique avec porte substrat réfrigéré de -20 à 80°C
  • Pompe secondaire turbomoléculaire (2000 l/s)
  • Taille de wafer : de puces à 6 pouces
  • Gaz disponibles : SF6, CF4, C4F8, He, O2 et Ar

Type de matériaux gravés :
Silice SiO2, Nitrure de Silicium Si3N4, Pyrex, Ortho-phosphate de Gallium GaPO4, Langasite LGS, Langatate LGT, Silice fondue, Quartz, Niobate de Lithium LiNbO3, Titanate de Plomb PbTiO3…
Gravure Quartz coupe AT d’une profondeur de 42µm avec une verticalité de flancs de 85°
Gravure Quartz coupe AT d’une profondeur de 42µm avec une verticalité de flancs de 85°

NANOPLAS

Equipement de délaquage et de traitement de surface (Nanoplas)

- Source Plasma ICP : 600W RF
- Porte substrat chauffé de 60 à 200°C
- Gaz disponibles : O2, Ar, SF6 et CF4
- Taille de wafer : de puces à 4 pouces

Type d’applications :

- Enlèvement de résine
- Traitement/Préparation de surface
- Fonctionnalisation de surface
- Dépassivation de téflonage

Retour au sommaire

 

Traitement thermique

Traitement thermique

Caractéristiques techniques

Four triple tube

Four triple tube pour oxydation et traitements thermiques

Caractéristiques techniques du tube 1 :

- Diamètre tube : 20 cm
- Type d’oxydation : Sèche/humide
- Température d’oxydation : 1000° - 1100°C
- Température max. : 1200°C
- Rampe max. de montée en température : 100°C/min
- Gaz : Oxygène
 

Caractéristiques techniques du tube 2 :

- Diamètre tube : 17 cm
- Température diffusion : autour de 1000°C
- Température max. : 1200°C
- Rampe max. de montée en température : 100°C/min
- Gaz : Oxygène
- Substrat : Niobate de lithium uniquement
 

Caractéristiques techniques du tube 3 :

- Diamètre tube : 17 cm
- Température max. : 1200°C
- Rampe max. de montée en température : 100°C/min
- Gaz : Azote et Argon

 Retour au sommaire 

Nanotechnologies

Nanotechnologies

Caractéristiques

Réalisations

Gravure par faisceaux d'ions focalisés (FIB)
Gravure par faisceaux d'ions focalisés (FIB)
Le FIB permet de réaliser des gravures localisées par faisceaux d’ions avec une très grande précision tandis que la station de lithographie par faisceaux d’électrons (Ebeam) permet de nanostructurer des résines électro-sensibles.gravure FIB
  • Lithographie électronique Raith E_LineLithographie électronique Raith E_Line
  • Filament : Schottky TFE
  • Déplacement de la platine : 100mm x 100mm x 30mm
  • Taille de spot : <2nm @ 20keV
  • Plage de courant : 5pA – 20nA
  • Densité de courant : > 7500 A/cm²
  • Stabilité du courant : <0 .5%/h
  • Détecteurs : In Lens, Everhart Thornley
  • Largeur de ligne min : 20nm
  • Précision de raccord de champ : 60nm (mean 3 sigma)
  • Précision d’ajustement niveau à niveau : 40nm (mean 3 sigma)
  • Taille d’échantillon : de puces à wafer 4 pouces
  • Format de fichiers : GDSII

ZEP 520A
Résine ZEP 520A

Retour au sommaire

  

Caractérisation

Microscopes

Caractéristiques

  • Microscope à effet tunnel (STM)
  • Microscope optique en champ proches (SNOM)

Les microscopes à champ proches permettent de visualiser des échantillons à l'échelle atomique.

 

MEB FEI

MEB environnemental FEI Quanta 450W et EDS EDAX APEX 2i

  • Filament de tungstène
  • Tension 200 V à 30 kV
  • Courant < 2µA
  • Platine pseudo-eucentrique 5 axes 100 mm x 100 mm (tilt jusqu’à 70°)
  • Modes high vacuum (10-4 Pa), low vacuum (<130 Pa), ESEM (<2600 Pa)
  • Caméra infrarouge / NavCam
  • Détecteur d’électrons secondaires Everhart-Thornley (rés. 5 nm @ 30 kV & 10 nm @ 3 kV)
  • Détecteur d’électrons rétrodiffusés à semi-conducteur vCD (rés. 5 nm @ 30 kV)
  • Détecteurs d’électrons secondaires gazeux pour mode environnemental
  • Résolution max 3584 x 3094 pixels (16 bits)
  • EDS SDD 10 mm² (analyses qualitatives et quantitatives, cartographies) / Détection des éléments à partir du Bore, résolution < 133 eV pour tx > 100.000 cps

Digidrop – MCAT Goniomètre

Mesure d’angle de contact : Digidrop – MCAT Goniomètre (GBX)

  • Mesure statique et dynamique de l’angle de contact
  • Précision de la mesure : +/-0.1° sur des gouttes de référence
  • Plage de mesure : 0 – 180°
  • Plage d’énergie de surface: 0,5 – 1000 mN/m
  • Vitesse d’analyse d’image std: 50/60 images/s par camera USB
  • Zoom: x10
  • Taille de l’échantillon Std: qq mm à 100mm (wafer)
  • Types de seringues fournies: verre ou plastique
Profilomètre Tencor Alpha Step IQProfilomètre Tencor Alpha Step IQ
  • Précision : 0,1 %
  • Longueur max. de balayage : 10 mm de gauche à droite et 2 mm de droite à gauche
  • Vitesse de balayage : de 2 à 200 µm/s
  • Résolution latérale : donnée par la pointe diamant (cône de 60° et rayon terminal de 5 µm)
  • Dimensions des échantillons : 4 pouces
  • Hauteur des échantillons : jusqu'à 17,5 mm
  • Force de contact : réglable de 1 à 100 mg
  • Cale étalon : 6500 Å aluminium de Tencor Instruments

Mesure d'épaisseur
Hauteur de marche mesurable : de qq nm à 1 500 µm en 3 gammes :
0 - 20 µm
0 - 400 µm
0 - 2 000 µm

Mesure de rugosité et d'ondulation
Affichage des paramètres Ra, Rq, Rt, Wa, Wq et Wt...
Filtre cut-off : ajustable (typiquement 80 µm)

Interféromètre ZYGO

Interféromètre Fizeau (Zygo)

Interféromètre de Fizeau à décalage de phase
Caméra 1000x1000 pixels
Zoom motorisé x1-x6
Longueur d’onde de travail : 632 nm
Champ de mesure : disque de 100 mm
Dynamique : >50 µm
Précision : <0.1 nm

Rugosimètre tridimensionnelRugosimètre tridimensionnel
  • Déplacement maximum de la pointe de ±250µm
  • Angle de la pointe de 25º
  • Capacité de mesure : pièces entre 0 et 300mm de hauteur
  • Course maxi de 56mm
  • Une précision de 0,10µm
EllipsomètreEllipsomètre spectrométique
  • Gamme spectrale de mesure : 260 << 2100 nm
  • Taille du spot réglable (système microspot) : 50, 100 et 1000 m
  • Source Xe 75 W
  • Tête d'analyse équipée d'un modulateur photoélastique thermiquement stabilisé monté sur une platine de rotation automatique (fréquence de modulation : 50 kHz)
  • Monochromateur double sortie à haute résolution HR460 avec extension proche infra-rouge (résolution typique : 0,1 nm)
  • 2 détecteurs : un photomultiplicateur et un détecteur InGaAs
  • Porte échantillon : diamètre 6 pouces avec réglage de l'assiette et ajustable en rotation
  • Réglage manuel de la hauteur , épaisseur max = 20 mm
  • Goniomètre automatique : réglable de 40 à 90 degrés par pas de 0 ,05 degré (précision de 0,01 degré)
  • Equipé d'une lunette autocollimatrice
  • Logiciel d'extraction de l'épaisseur et de l'indice : DeltaPsi2 (version 2.0)
  • Possibilité de mesure en transmission
Système d'analyse XPSSystème d'analyse XPS

Le dispositif XPS est constitué :

  • d'une source de rayons X présentant un angle de 45° avec la surface,
  • Sas d'introduction multiéchantillons,
  • d'une chambre d'analyse où l'irradiation de la cible a lieu
  • d'un système de détection et d'analyse placés selon la normale à la surface, et d'un système de manipulateurs (4 axes, /- 12,5mm Z=50 mm ) avec élément chauffant (750°C ) (possibilité de faire des études en température)

Nanojura

Caractérisation dimensionnelle de surfaces sans contact (Nanojura)

  • Capteurs confocaux Nobis 400 et Nobis 1000
  • Résolution axiale (Z) : qq nm
  • 2 têtes de mesure : gamme de mesure 400µm/taille du spot 7µm ou gamme de mesure 1mm/taille du spot 11µm
  • Pente maximale des surfaces lisses : 30°
  • Taille maximale de l’échantillon (X,Y) : 100mm x 100mm
  • Résolution tables de translation X, Y et Z : 0.1µm

FSM 500 TC

Caractérisation de contraintes thermomécaniques
(FSM 500 TC)

 

MEMS Analyser

MSA-500 : Comportement mécanique 3D de microsystèmes (MEMS Analyseur)

 

Retour au sommaire

Connectique et packaging

Connectique et packaging

Caractéristiques techniques

Réalisations

Machine de Wafer Bonding EVGMachine de Wafer Bonding EVG

Procédés de soudure possibles :

  • Soudure anodique verre Pyrex - Si (anodic Bonding)
  • Soudure avec couche intermédiaire (verre fritée, colle epoxy, or, eutectic , ...) (thermo compression bonding)
  • Silicon Direct bonding (Si - Si)

Paramétres réglables :

  • Température (jusqu'à 550 °C)
  • Force (jusqu'à 7000 N)
  • Tension (jusqu'à 2000 V)
  • Vide de 10-3 mbar

Substrats de 3 et 4 pouces
Alignement : casette compatible avec l'aligneur de masques

 
Machine de Ball bondingMachine de Ball bonding

Le modèle HB16 utilise la technique de câblage ultrasonique. La soudure de deux métaux est obtenue en combinant une force d’appui, une énergie ultrasonique et un temps suffisant pour assurer la diffusion métal-métal.
Trois modes de connexions filaires sont possibles :

  • Wedge/Wedge
  • Ball/Wedge
  • Stud Bump

Stud bump
Stud Bump

Nanoprep NP12

Nanoprep NP12
Activation plasma des surfaces

  • Procédé très rapide (env. 5s)
  • 2 lignes de gaz : N2, O2 (ou Ar) dépendant de la surface à activer
  • Epaisseur maximale tolérée du substrat: 1.5mm
  • Distance wafer-électrode à régler pour obtenir un plasma homogène et efficace
  • Puissance générateur : 200W à 800W
  • Vitesse de balayage : 10 à 100mm/s
  • Débit gaz jusqu’à 100 slm
 

CL200 Cleaner Bonder

CL200 Cleaner Bonder
et IR200 Inspection module

CL200 :

  • Configuration : traitement des wafer 3’’, 4’’ et masques 4’’ et 5’’
  • Maintien par le vide des substrats : impossibilité de traiter des substrats percés
  • Nettoyage à l’eau DI amélioré par des buses à jets mégasoniques
  • Alignement méplat à méplat des deux substrats avant prébonding


IR200 :

  • Fourni avec logiciel de capture d’image ou de vidéo
  • Caméra 2/3 pouces avec capteur CCD de 1.45 million
  • Taille max: wafer 4” (diam: 100mm)
 
Scie circulaire de précision pour la découpe de puces DISCO DAD 321Scie circulaire de précision pour la découpe de puces DISCO DAD 321

Profondeur de découpe : 2mm max
Rotation lame : 5000 à 30000 tr/min
Vitesse d'avance : 0,1 à 5 mm/min
Epaisseur lame : 30 µm à 2 mm
Positionnement de la lame : /- 2 µm
Largeur max du trait de découpe : épaisseur de la lame 10 µm

Types de lame :

  • Lame à âme métalique
  • taille de diamant : de 2 à 50 µm
  • Lame à âme résinoïde
  • taille de diamant : de 2 à 100 µm
 

DISCO DAD 3350

DISCO DAD 3350

  
Polisseuse de précision LogitechPolisseuse de précision Logitech
  • Système d'alimentation automatique en abrasif
  • Cylindre et mouvement excentrique de la fourche
  • Maintient de l'échantillon par le vide
  • Equipé d'une tête de rodage et polissage de précision PP6GT
  • Diamètre du plateau : 30 cm
  • Dimension max des wafers : 4 pouces
  • Epaisseur max de l'échantillon : 11 mm
  • Précision sur l'épaisseur : 2 à 3 µm
  • Rugosité obtenue : de l'ordre du nanomètre
  • Réglage précis de la pression à laquelle est soumi l'échantillon pendant le polissage (0 à 4000 g)
  • Comparateur à aiguille indiquant la matière enlevée
  • Contrôle automatique de la planéité
 
Flip-Chip FC250Flip-Chip FC250  

Machine de polissage mécano-chimique (Alpsitec E460)

  • Wafers de 2" à 4" (possibilité de travail jusqu'à 6" et sur échantillons de formes spécifiques)
  • Maintien de l'échantillon par le vide + ring
  • Back-pression par Azote
  • Système d'alimentation automatique et personnalisable en abrasifs
  • Possibilité de multi-abrasifs
  • Programmes multi-étapes personnalisables
  • Diamètre du plateau : 46 cm
  • Rugosité obtenue : de l'ordre du nanomètre
  • Conditionnement des pads de polissage
  • Vitesse max : 120 tr/min

Retour au sommaire